第一千一百四十六章 量子芯片样品

xt_57">最早发现马约拉纳零能模迹象的复合量子器件，其制备涉及非原位的加工工艺（可称为第一代）。

它是先用刻蚀去除氧化层、而后进行金属沉积。然而，这种方法往往会导致一个小而软的诱导超导能隙，容易带来准粒子中毒，影响拓扑保护和探测马约拉纳零能模。

随后为了诱导更好的超导能隙，催生了第二代制备工艺，包括分子束原位外延生长和结合氢清洁的特定shadowwall技术。

但两者都不能与微加工光刻技术完全兼容，灵活度不够。

因此研发马约拉纳零能模迹象的复合量子器件需开发一种兼容微加工光刻技术的通用方法。

即做到实现原子层衔接的高质量异质界面和能带弯曲的调节，又足够的灵活或者说批量工业化生产。

听到这个问题，耿景龙笑着开口道：“这个问题是联合华科院半导体研究所赵建华研究员、潘东研究员一起完成的。”

微微停顿了一下，他接着道：：“我们先通过实验测量出了完整拓扑相图，并且看到了可能与马约拉纳零能模的粒子空穴对称性相关的迹象。”

“然后将“马约拉纳岛”嵌入到超导干涉环中，由超导电流读出宇称的信息，构筑出拓扑量子比特提供了‘读出方式’，继而在这个基础上通过超算搭建出器件加工互联系统，通过‘氩气刻蚀’来确保精度。”

闻言，徐川若有所思的点点头。

川海材料研究所这边的研究方式，或者说国内科研领域多多少少受到了一些他的影响。

尤其是材料领域这一块，以前的国内的材料研发通常主要依赖于经验和实验的“试错法”。

这种方法虽然这种方法耗时长、效率低，但它帮助科学家积累了大量关于材料性能与行为的基础数据。

而且存在研发效率低、成本高等瓶颈问题，难以满足高新技术和高端装备对新材料迭代发展的

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